In der Automobil- und Leistungselektronik ist die Bondbarkeit zur Kontaktierung der Module mit den Steckern ein zentrales Thema. Während auf der Steckerseite der Kupfer-Werkstoff, z.B. verzinnt, benötigt wird, ist auf der Modulseite eine bondfähige Aluminium-Oberfläche (AlSi1) gefordert. Der Wunsch nach immer niedrigeren Ultraschall-Leistungen für den Bondprozess ist begründet. Die Vorteile des Low-Power-Bondings sind:
Breiteres Prozessfenster beim Bonden und damit ein höherer cpk-Faktor für die Scherkraft
Größere Toleranz des Prozesses gegenüber der Oberflächenbeschaffenheit
Verbesserte Scherkräfte und damit höhere Sicherheitsreserven
Erhöhte Zuverlässigkeit der Bondverbindung
Mehr Freiheitsgrade in der Konstruktion der Module, auch mit der Möglichkeit von Materialeinsparungen
AMI DODUCO bietet mit seinem neuen AlSi1-Band für Low-Power-Bonding ein Material an, das bei geichbleibender, maximaler Scherkraft 25% weniger Ultraschall-Leistung erfordert. Darüber hinaus konnte gleichzeitig die bereits hervorragende Lagegenauigkeit des AlSi1-Streifens noch weiter verbessert werden.
„Unsere Leitkunden haben zwischenzeitlich die hervorragenden Eigenschaften des neuen AlSi1-plattierten Bandes für das Low-Power-Bonding bestätigt“, sagte Christian J. Hagedorn,Vice President Marketing & Sales bei AMI DODUCO, Europa. „Auf den Stamping Days im September in Pforzheim werden wir erstmals über Details berichten.“
